| 专利名称 | 一种过渡金属氧化物/石墨烯复合薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201610182599.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105845195A | 公开（授权）日 | 2016.08.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 刘阳桥;纪庆华;孙静;施良晶;王焱 | 主分类号 | H01B1/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B1/04(2006.01)I;H05B3/14(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种过渡金属氧化物/石墨烯复合薄膜及其制备方法 至一种过渡金属氧化物/石墨烯复合薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种过渡金属氧化物/石墨烯复合薄膜及其制备方法，将过渡金属醇盐用醇溶解稀释后旋涂在石墨烯表面对其进行掺杂，经过热处理，得到过渡金属氧化物/石墨烯复合薄膜，所述过渡金属氧化物/石墨烯复合薄膜包括石墨烯层和沉积于石墨烯层上的过渡金属氧化物层。本发明成本低廉、操作简便。掺杂处理后，石墨烯表面电阻显著下降，且可以在较长时间内保持稳定。掺杂处理之后石墨烯方阻能降低40～50%，并且表现出非常优异的稳定性和光透过率。本发明对拓展石墨烯透明导电薄膜应用具有重要意义。本发明制备的石墨烯薄膜可望在太阳能电池、触摸屏、电加热膜等领域得到广泛应用。 |
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