| 专利名称 | 一种掩膜图形的优化方法、最佳焦平面位置测量方法及系统 | 申请号 | CN201610342206.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105785724A | 公开（授权）日 | 2016.07.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 董立松;宋之洋;韦亚一 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种掩膜图形的优化方法、最佳焦平面位置测量方法及系统 至一种掩膜图形的优化方法、最佳焦平面位置测量方法及系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种掩膜图形的优化方法及系统，采用的目标函数为部分相干光源照明、预定焦深范围内不同离焦量下光刻空间像强度分布所对应的图形位置偏移量对离焦量的斜率，该目标函数以光刻成像理论为基础并结合最优化算法，以投影物镜系统最佳焦平面位置的测量灵敏度的评价函数，获得与照明方式相匹配的具有优化的透过率和相位的掩膜图形，可以有效提高部分相干光源照明条件下的最佳焦平面位置的测量灵敏度。同时，通过该优化方法获得的掩膜图形是基于相移掩膜测量原理，在用于最佳焦平面位置的测量时，不需要专门的测量设备和复杂的传感器，可以有效的降低测量成本。 |
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