| 专利名称 | 半导体器件 | 申请号 | CN201410812116.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105789368A | 公开（授权）日 | 2016.07.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;贾云丛;袁烽;陈大鹏 | 主分类号 | H01L31/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/115(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件 至半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体X线探测器及其制造方法，将PIN接触层过孔之于像素单元的侧边，可以减少铟柱(包括UBM粘附层)封装工艺对PIN二极管器件电学特性的影响，避免金属钉刺现象，减少漏电流；同时，侧边接触结构可以降低PIN接触层过孔对后继的铟柱成球工艺的不利影响；另外，侧边接触减小了金属接触面积，从而降低了金属漏电。 |
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