| 专利名称 | 一种碲镉汞器件埋结工艺 | 申请号 | CN201610236474.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105762221A | 公开（授权）日 | 2016.07.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 张姗;胡晓宁;樊华;廖清君;叶振华;林春;丁瑞军;何力 | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种碲镉汞器件埋结工艺 至一种碲镉汞器件埋结工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种碲镉汞器件埋结方法，该方法是在光刻注入孔后，采用湿法腐蚀方法在碲镉汞薄膜上制备腐蚀坑后直接生长离子注入阻挡层并进行离子注入，最终在碲镉汞腐蚀坑内部制备p?n结。本发明通过腐蚀和离子注入共用一次光刻窗口的方法，将p?n结精确注入至腐蚀孔内部，避免了两次光刻造成的注入偏差问题，简化了操作步骤，并且离子注入前光刻胶上覆盖的ZnS阻挡层减弱了离子注入对光刻胶的改性作用，使光刻胶去除更加方便。 |
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