| 专利名称 | 一种具有二维光子晶体结构的光电极及其制备方法 | 申请号 | CN201610136615.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105702756A | 公开（授权）日 | 2016.06.22 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 欧阳霄;马任平;张凯;宫建茹 | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有二维光子晶体结构的光电极及其制备方法 至一种具有二维光子晶体结构的光电极及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种具有二维光子晶体结构的光电极及其制备方法，所述光电极包括导电基底、骨架层和光电转化层，光电转化层表面具有周期性水平排列的圆孔。其制备方法主要包括：在导电基底上形成单层聚苯乙烯球膜；在覆有单层聚苯乙烯球膜的导电基底上制得骨架层；在制得骨架层的导电基底上沉积Fe膜，然后在有氧氛围下进行煅烧形成光电氧化层，得到具有二维光子晶体结构的光电极。本发明通过引入二维光子晶体结构，使电极的光催化活性有了显著的提高，能够有效提高电极在不同方向光照射下的光电催化活性；同时，所述制备方法简单，成本低廉，大大降低了生产成本。 |
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