| 专利名称 | 一种CdTe/CIGS梯度吸收层薄膜太阳能电池及其制备方法 | 申请号 | CN201611048928.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106449810A | 公开（授权）日 | 2017.02.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 屈飞;李辉;古宏伟;丁发柱;张贺 | 主分类号 | H01L31/0296(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/065(2012.01)I;H01L31/0725(2012.01)I;H01L31/0749(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种CdTe/CIGS梯度吸收层薄膜太阳能电池及其制备方法 至一种CdTe/CIGS梯度吸收层薄膜太阳能电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种CdTe/CIGS梯度吸收层薄膜太阳能电池，自下而上依次包括衬底、导电层、本征氧化锌绝缘层、n型CdS缓冲层、梯度禁带宽度吸收层和上电极；所述梯度禁带宽度吸收层自下而上包括p型CdTe吸收层和p型CIGS吸收层。本发明利用CIGS吸收层和CdTe吸收层组成梯度吸收层，拓宽了吸收层的太阳光谱利用范围，进一步提高了太阳电池转换效率。 |
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