| 专利名称 | 单行载流子光电二极管的收集区结构 | 申请号 | CN201611152276.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106409940A | 公开（授权）日 | 2017.02.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张戎;姚辰;符张龙;曹俊诚 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/109(2006.01)I | 专利有效期 | 单行载流子光电二极管的收集区结构 至单行载流子光电二极管的收集区结构 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明提供一种单行载流子光电二极管的收集区结构，所述收集区结构包括掺杂区和非掺杂区，其中，所述掺杂区靠近吸收区一侧。通过本发明提供的单行载流子光电二极管的收集区结构，解决了现有单行载流子光电二极管因空间电荷效应饱和电流较小的问题，进一步提升了单行载流子光电二极管的饱和电流。 |
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