| 专利名称 | 用于元器件电离辐照的X射线辐照方法 | 申请号 | CN201610516217.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105976888A | 公开（授权）日 | 2016.09.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 李豫东;于刚;于新;何承发;文林;郭旗 | 主分类号 | G21K1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G21K1/02(2006.01)I;G21K1/10(2006.01)I;G21K5/04(2006.01)I;G21K1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 用于元器件电离辐照的X射线辐照方法 至用于元器件电离辐照的X射线辐照方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及用于元器件电离辐照的X射线辐照方法，该方法涉及辐照装置是由X光管、准直器、限束板、低能散射滤片、电动三维平台、辐照平台、激光指示器、水循环进出口组成，该方法实现了X射线能量、剂量率连续可调、辐照束斑连续可调，且可以去除低能散射对辐照结果的影响，为元器件电离辐照提供较理想的条件。该方法将为元器件电离总剂量辐射效应研究及试验评估提供方便快捷、低成本的电离辐照条件，对提升电子元器件抗辐射加固的基础支撑能力具有重要意义。 |
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