| 专利名称 | 一种磁性斯格明子材料 | 申请号 | CN201610308496.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105950941A | 公开（授权）日 | 2016.09.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 王文洪;张颖;刘恩克;吴光恒 | 主分类号 | C22C30/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C30/00(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I | 专利有效期 | 一种磁性斯格明子材料 至一种磁性斯格明子材料 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种磁性斯格明子材料，其化学通式为(Mn100?δNiδ)αGaβ，其中，61.6≤α≤69，15≤δ≤50，31≤β≤38.4，α+β＝100，α、β、δ表示原子百分比含量。本发明的材料具有稳定的宽温域室温磁性斯格明子纳米磁筹结构，作为磁存储单元可在室温稳定工作，是理想的磁存储和信息转换等自旋电子学器件的候选材料。 |
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