| 专利名称 | 一种双通道宽光谱探测器及其制备方法 | 申请号 | CN201610518156.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105957918A | 公开（授权）日 | 2016.09.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 韩玺;徐应强;王国伟;向伟;郝宏玥;牛智川 | 主分类号 | H01L31/11(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/11(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种双通道宽光谱探测器及其制备方法 至一种双通道宽光谱探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种双通道宽光谱探测器及其制备方法，该双通道宽光谱探测器包括衬底和台体结构，所述台体结构包括依次层叠于衬底上的下电极接触层、第一吸收层、中电极接触层、隔离层、第二吸收层、上电极接触层，其中，在上电极接触层顶部形成上台面，在中电极接触层形成有中台面，在下电极接触层形成有下台面，上电极、中电极和底电极，分别设置于上台面、中台面和下台面上，分别与上电极接触层、中电极接触层上电极接触层电连接，该双通道宽光谱探测器可以用于宽光谱探测。 |
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