| 专利名称 | 一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法 | 申请号 | CN201610960164.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106548828A | 公开（授权）日 | 2017.03.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 宋伟杰;徐峰;许炜;沈文锋 | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B13/00(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法 至一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法，通过在室温和常压下，使用特定浓度的季铵盐表面活性剂溶液浸泡银纳米线透明导电膜，去除银纳米线表面包覆的聚乙烯吡咯烷酮PVP，PVP去除后，由于银纳米线的高表面能，银纳米线之间的结点将会接触、自动融合焊接，使银纳米线之间的结电阻得到显著降低，从而在提高银纳米线透明导电膜导电性的同时，提高了其透过率，避免了传统高温高压焊接对银纳米线导电网络和基底的破坏。本发明方法操作简便、成本低廉，适合于大规模工业生产。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障