| 专利名称 | 基于InP衬底的五结太阳能电池及其制备方法 | 申请号 | CN201510312822.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106299011A | 公开（授权）日 | 2017.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 黄勇 | 主分类号 | H01L31/0725(2012.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0725(2012.01)I;H01L31/0328(2006.01)I | 专利有效期 | 基于InP衬底的五结太阳能电池及其制备方法 至基于InP衬底的五结太阳能电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于InP衬底的五结太阳能电池，包括InP衬底，以及在所述InP衬底上依次设置的InGaAsP第一子电池、第一隧道结、InGaAsP第二子电池、第二隧道结、InGaAsP第三子电池、渐变缓冲层、第三隧道结、InGaP第四子电池、第四隧道结、InAlGaP第五子电池和InGaAs接触层。本发明还公开了如上五结太阳能电池的制备方法。本发明提供的五结太阳能电池前三结子电池与InP衬底晶格匹配，后两结In(Al)GaP子电池晶格异变，通过合理的带宽选择实现子电池间的电流匹配，从而达到较高的光电转换效率。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障