| 专利名称 | 基于无掩膜光刻机极坐标下刻写大范围任意图形的方法 | 申请号 | CN201610827076.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106200278A | 公开（授权）日 | 2016.12.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 白震;魏劲松 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 基于无掩膜光刻机极坐标下刻写大范围任意图形的方法 至基于无掩膜光刻机极坐标下刻写大范围任意图形的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于无掩膜光刻机极坐标下刻写大范围任意图形的方法，包括激光与旋转平台的对准，大数据的直角坐标向极坐标的数据转换，数据传输与高精密运动台的实时同步控制等步骤。高速旋转式无掩膜光刻机运动平台由一个旋转电机和一个直线电机组成，通过直线电机的R方向和旋转电机的θ方向构成了一个极坐标系。控制器将刻写数据与电机的位置进行高精度的匹配，控制激光在特定的位置发出相应的脉冲进行刻写，从而实现极坐标下刻写大范围任意图形。本发明实现了光刻机在极坐标下刻写大面积任意图形，在微纳加工，掩模板制造，衍射光学元件制作领域具有很高的应用价值。 |
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