| 专利名称 | 基于MgB4先驱粉的二硼化镁超导线材的镁扩散制备方法 | 申请号 | CN201610428086.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106128632A | 公开（授权）日 | 2016.11.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 马衍伟;徐达;王栋樑;张现平 | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B13/00(2006.01)I;H01B12/04(2006.01)I | 专利有效期 | 基于MgB4先驱粉的二硼化镁超导线材的镁扩散制备方法 至基于MgB4先驱粉的二硼化镁超导线材的镁扩散制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于MgB4先驱粉的二硼化镁超导线材的镁扩散制备方法，该制备方法基于中心镁扩散技术，使用MgB4作为先驱粉，代替传统硼先驱粉。本发明制备方法的主要步骤包括：一、将原始粉末球磨混合均匀，然后用粉末压片机将混合粉末压成圆片，最后将圆片真空烧结并研碎，得到MgB4粉末；二、将镁棒固定在金属管中心，在镁棒和金属管中间填充MgB4粉末，两端封管后经过旋锻、拉拔、真空热处理，得到MgB2线材。本发明制备的MgB2线材超导芯致密度高、临界电流密度高、超导相填充率高、工程临界电流密度高，在中高磁场下有着优良的超导电性能。 |
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