| 专利名称 | 具有周期性纳米结构的雪崩光电二极管 | 申请号 | CN201610623546.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106057957A | 公开（授权）日 | 2016.10.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 江晓;张强;臧凯;马健;丁迅;霍秩杰;喻宗夫;詹姆斯S.哈里斯;潘建伟 | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0232(2014.01)I;H01L31/0236(2006.01)I | 专利有效期 | 具有周期性纳米结构的雪崩光电二极管 至具有周期性纳米结构的雪崩光电二极管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种应用于量子信息中单光子探测的硅基雪崩光电二极管，其包括SOI衬底以及形成于SOI衬底上的PIN结构，其中在PIN结构的最外层还形成有由周期性的金字塔或倒金字塔形的纳米结构作为入射窗。其中纳米结构采用单晶硅作为金字塔基本单元的主体材料。借助本发明的雪崩光电二极管结构，使得能够利用现有的基于硅的制备工艺进行雪崩二极管的制备，并且简化了二极管的层次结构，使得能够在提供改善的时间分辨能力的同时，提供良好的探测效率，并且适应于大规模、高成品率的工业化生产。 |
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