| 专利名称 | 一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法 | 申请号 | CN201610838881.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106527969A | 公开（授权）日 | 2017.03.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院地质与地球物理研究所 | 发明（设计）人 | 杨永友;陈文轩;底青云;张文秀;孙云涛;郑健 | 主分类号 | G06F3/06(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F3/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法 至一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法 | 法律状态 | 著录事项变更 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种大容量存储控制技术，具体地说是涉及一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法。该方法进行读写时，可识别坏块、躲避坏块、均衡写入，保证所有的块的写入次数一致，以保证整个存储器的寿命均衡的NandFlash存储器读写。由于采用上述技术方案，本发明的方法具有计算量小、需要内存小的特点，适合适用于同一时间单一文件操作的应用场合，对系统硬件、软件需求低，能为这种低成本、低功耗的嵌入式系统的操作提供完整的文件系统方案。 |
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