| 专利名称 | 一种圆片级制备硅纳米线阵列场效应管 | 申请号 | CN201621370548.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN206282823U | 公开（授权）日 | 2017.06.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李铁;杨勋;王跃林 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 一种圆片级制备硅纳米线阵列场效应管 至一种圆片级制备硅纳米线阵列场效应管 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种圆片级制备硅纳米线阵列场效应管，包括：一(111)型SOI硅片，所述(111)型SOI硅片包括底层硅、氧化层及顶层硅；位于所述顶层硅上表面及氧化层上方的氮化硅掩膜层，其中，所述氮化硅掩膜层表面形成有暴露所述氧化层的六边形腐蚀槽阵列；位于所述氮化硅掩膜层下表面的硅纳米线阵列；位于所述氮化硅掩膜层上表面且与所述硅纳米线阵列位置对应的栅极；以及位于所述氮化硅掩膜层上表面的源极和漏极，其中，所述源极和漏极之间设置有至少一条暴露所述氧化层的隔离沟道。通过本实用新型提供的圆片级制备硅纳米线阵列场效应管，解决了现有技术中基于硅片制备硅纳米线阵列时无法实现高可控性及高一致性的问题。 |
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