| 专利名称 | 高动态范围的图像传感器及其制造方法 | 申请号 | CN201210175223.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102683374B | 公开（授权）日 | 2014.10.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 苗田乐;方娜;田犁;汪辉;陈杰 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146 | 专利有效期 | 高动态范围的图像传感器及其制造方法 至高动态范围的图像传感器及其制造方法 | 法律状态 | 专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种高动态范围图像传感器及其制造方法。本发明中，巧妙地利用金属布线层中空余的面积，形成MIM电容，并与浮动扩散区并联，扩大了浮动扩散区域的阱容量，提高了图像传感器光生电荷储存能力，从而提高了动态范围的上限。与此同时，由于未增加浮动扩散区域本身的面积，避免了暗电流噪声的增大。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障