| 专利名称 | 图像传感器及其像素读出方法 | 申请号 | CN201210168195.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102685404B | 公开（授权）日 | 2014.12.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 孙涛;汪辉;田犁;方娜;陈杰;苗田乐 | 主分类号 | H04N5/355(2011.01)I | IPC主分类号 | H04N5/355; H04N5/357; H04N5/374; H01L27/146 | 专利有效期 | 图像传感器及其像素读出方法 至图像传感器及其像素读出方法 | 法律状态 | 专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种图像传感器及其像素读出方法。本发明中，在传统CMOS图像传感器上增加了一个传输管和集成发光二极管结构，掺杂形成两个浮动扩散区，分别获取发光二极管发光和不发光阶段的图像，然后进行合成，可以同时获得图像的亮细节和暗细节，在提高图像传感器动态范围的同时减小了拖影。在发光二极管发光的情况下，信号更容易饱和，将发光二极管的发光时间设定为小于50％，或者将第一浮动扩散区的阱容量做的比第二浮动扩散区大，第一浮动扩散区不会很容易就饱和。采用相关双采样技术，可以达到消除噪声的目的。 |
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