| 专利名称 | CMOS图像传感器 | 申请号 | CN201210127031.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102637714B | 公开（授权）日 | 2014.12.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 田犁;陈杰;汪辉;苗田乐;方娜 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146; G02F1/133 | 专利有效期 | CMOS图像传感器 至CMOS图像传感器 | 法律状态 | 专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明提供一种CMOS图像传感器，在感光元件上增加了第一偏振片，具有透明电极结构的液晶层以及第二偏振片，通过控制所述透明电极的电压可以改变之间的液晶排列方式，从而控制光的通断。本发明在像素结构中增加了光通断结构，可以独立地控制每个像素结构的曝光积分时间，可以使所有像素结构或部分像素结构同时曝光或同时停止曝光，从而实现全局曝光功能，并且不会对图像传感器的填充率带来影响，提高了器件的集成度。而且，增加的光通断结构可以代替传统的快门装置，减小了感光器件的体积。 |
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