| 专利名称 | 自供能CMOS图像传感器 | 申请号 | CN201210113012.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102623476B | 公开（授权）日 | 2014.11.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 孙涛;汪辉;方娜;田犁;苗田乐;陈杰 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146; H04N5/374 | 专利有效期 | 自供能CMOS图像传感器 至自供能CMOS图像传感器 | 法律状态 | 专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明提供一种自供能CMOS图像传感器，至少包括衬底层、层叠覆盖在衬底层上的感光叠层、以及像素读出单元，其中，列总线、放大器、电流源单元、图像处理单元、及用于自供电源的储能单元位于衬底层中；感光叠层包括层叠覆盖在所述衬底层上的用于吸收不同波段光的多个感光层，且各该感光层中至少包括两个开关元件以及连接于该两个之间的一个感光元件；像素读出单元位于衬底层中或位于感光叠层中的至少一个感光层中。本发明采用无滤光片的层叠式结构的感光叠层，可实现一个像素具有检测不同波段光的能力以及图像传感器自供能的功能，不仅降低了成本及复杂度，大大提高了图像传感器的转换效率、图像质量和集成度，而且在充分利用光的能量的同时增强了图像传感器的适应能力。 |
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