| 专利名称 | CMOS图像传感器 | 申请号 | CN201210042867.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102595064B | 公开（授权）日 | 2014.07.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 田犁;汪辉;陈杰;方娜;苗田乐 | 主分类号 | H04N5/374(2011.01)I | IPC主分类号 | H04N5/374; H04N5/341 | 专利有效期 | CMOS图像传感器 至CMOS图像传感器 | 法律状态 | 专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明提供一种CMOS图像传感器，采用包括红外光像元结构及可见光像元结构两种不同的像元结构，在省电模式下只有红外感知的图像传感器工作，将红外感知的像元输出的信号通过比较器与一预设阀值进行比较，若大于所述预设阀值，则打开与其相对应的可见光像元结构进行感光读出。本发明的CMOS传感器能够工作在省电模式下，结构简单，能够降低CMOS传感器的功耗，并提高CMOS传感器对红外光的感知能力。 |
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