| 专利名称 | 带有绝缘埋层的图像传感器及其制备方法 | 申请号 | CN201210022638.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102544045B | 公开（授权）日 | 2014.04.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 方娜;汪辉;陈杰;任韬 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146 | 专利有效期 | 带有绝缘埋层的图像传感器及其制备方法 至带有绝缘埋层的图像传感器及其制备方法 | 法律状态 | 专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明提供一种带有绝缘埋层的图像传感器及其制备方法，该制备方法提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，在第二半导体衬底上表面定义第I区域和第II区域，并在第I区域开窗口，对准键合第一半导体衬底的上表面及第二半导体衬底的上表面，而后减薄第二半导体衬底形成薄膜层和厚膜层，分别在薄膜层和厚膜层完成像素读出电路和光学传感器件的制备，并形成相邻器件间的隔离结构以完成带有绝缘埋层的图像传感器的制备，使其具有良好的半导体质量和表面质量、较高的光吸收效率、及高速、低功耗、抗闩锁的优良性能。 |
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