| 专利名称 | 金属氧化物半导体图像传感器 | 申请号 | CN201110457475.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102523393B | 公开（授权）日 | 2014.02.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 孙涛;汪辉;陈杰;方娜;田犁 | 主分类号 | H04N5/374(2011.01)I | IPC主分类号 | H04N5/374; H04N5/3745; H04N5/378 | 专利有效期 | 金属氧化物半导体图像传感器 至金属氧化物半导体图像传感器 | 法律状态 | 专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明涉及图像传感器领域，公开了一种金属氧化物半导体图像传感器。本发明中，通过金属氧化物半导体图像传感器结构实现了双模读取的功能，可以有效地扩展图像传感器的动态范围，并且电路结构和逻辑控制都比较简单。通过相关双采样，能够有效地降低噪声，大大提高读出信号的S/N比。在环境光线比较强的情况下，使用PPS模式进行读取，不经放大将电荷直接读取出来，可以防止因光线太强而导致C-APS饱和的情形；在环境光线比较弱的情况下，使用C-APS模式进行读取，通过不同的偏置实现可变增益读取，从而大大扩展了金属氧化物半导体图像传感器的动态范围。 |
1、源头对接，价格透明
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