| 专利名称 | 图像传感器及其制造方法 | 申请号 | CN201110455382.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102522416B | 公开（授权）日 | 2014.10.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 方娜;汪辉;陈杰 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146 | 专利有效期 | 图像传感器及其制造方法 至图像传感器及其制造方法 | 法律状态 | 专利权的转移 | 说明书摘要 | 一种图像传感器及其制造方法，包括半导体衬底、光学传感器件、像素读出电路，其特征在于，半导体衬底包括支撑衬底、以及依次覆盖在所述支撑衬底表面的第一绝缘埋层、第一半导体层、第二绝缘埋层和第二半导体层；其中，第一半导体层和第二半导体层厚度不同，光学传感器件位于较厚的半导体层，像素读出电路位于较薄的半导体层。本发明的图像传感器具有较高的光吸收效率，电路具有高速、低功耗、抗闩锁的优良性能，同时还具有抗高能粒子辐射的能力。 |
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