| 专利名称 | 图像传感器制备方法 | 申请号 | CN201110455204.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102509730B | 公开（授权）日 | 2013.11.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 方娜;陈杰;汪辉;田犁;任韬 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146 | 专利有效期 | 图像传感器制备方法 至图像传感器制备方法 | 法律状态 | 专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明提供一种图像传感器制备方法，提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，在第一半导体衬底表面或第二半导体衬底表面形成第二绝缘埋层，键合第一半导体衬底和第二半导体衬底，并使第二绝缘埋层位于第一顶层半导体层与第二半导体衬底之间，将第二半导体衬底减薄形成与第一顶层半导体层厚度不同的第二顶层半导体层，在第二顶层半导体层表面定义出第I区域和第II区域，并在第I区域开窗口直至暴露出第一顶层半导体层表面，分别在第I区域和第II区域完成光学传感器件和像素读出电路的制备，并形成相邻器件间的隔离，以完成图像传感器的制备。本发明制备的图像传感器具有良好的抗辐射性能和良好的半导体性能，且感光区域具有较高的光吸收效率。 |
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