| 专利名称 | 混合型CMOS图像传感器及其制作方法 | 申请号 | CN201110434532.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102522414B | 公开（授权）日 | 2014.07.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 苗田乐;张俊超;陈杰;汪辉;方娜;田犁 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146 | 专利有效期 | 混合型CMOS图像传感器及其制作方法 至混合型CMOS图像传感器及其制作方法 | 法律状态 | 专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种混合型CMOS图像传感器及其制作方法，包括：图像传感器，形成于支撑衬底表面；所述支撑衬底的材料是半导体材料；所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域；其特征在于：驱动电路区域的支撑衬底中具有顶层半导体层，所述顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；驱动电路区域中的晶体管形成于所述顶层半导体层中；光学传感区域中的支撑衬底中具有顶层光吸收层，所述顶层光吸收层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；光学传感区域中的光学传感器形成于所述顶层光吸收层中。本发明可以大大提高光的吸收效率，并防止由于宇宙射线照射产生的大量的电子空穴对CMOS图像传感器的感光区域以及驱动电路造成的器件失效或者质量下降等影响。 |
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