| 专利名称 | 图像传感器 | 申请号 | CN201110270125.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102299163B | 公开（授权）日 | 2014.01.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 丁毅岭;汪辉;陈杰;田犁;汪宁;尚岩峰 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146; H01L31/0352; H01L31/0224 | 专利有效期 | 图像传感器 至图像传感器 | 法律状态 | 专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种图像传感器，感光结构和像素读出电路都形成于带有绝缘埋层的半导体衬底的顶层半导体层上。感光结构包括横向排列的三个掺杂区，在耗尽区上形成有一厚度非均匀的介质层，在介质层上形成有多晶硅层。感光结构的掺杂区为横向结构能够使耗尽区的宽度突破SOI顶层半导体层厚度的限制，从而能够增加感光结构的光吸收效率。形成于耗尽区上的非均匀介质层和多晶硅层能够对耗尽区的能带进行调制，使耗尽区的能带更加陡峭，从能显著增加耗尽区中的光生电荷的转移效率。本发明还能减少图像传感器的寄生效应和提高其抗辐射能力。 |
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