| 专利名称 | 图像传感器及其制造方法 | 申请号 | CN201110268154.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102290426B | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 强文华;汪辉;陈杰;汪宁;田犁;尚岩峰 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146 | 专利有效期 | 图像传感器及其制造方法 至图像传感器及其制造方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供一种图像传感器的制造方法，包括步骤：提供带有绝缘埋层的半导体衬底；选定图像传感器的感光二极管区域，依次刻蚀顶层半导体层和绝缘层至露出支撑衬底表面；对露出的支撑衬底进行离子注入和扩散形成隔离区以及隔离区内包围的阱区；在阱区上掺杂形成第一掺杂区，期与阱区之间留有用于互连的空间；制作信号读出电路。相应地，本发明还提供一种图像传感器，将感光二极管区域被重掺杂的隔离区包围，通过隔离区可产生更深的耗尽区，提供光吸收效率，同事对辐照在支撑衬底中产生的电子空穴起到隔离作用，提高其抗辐照性能。 |
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