| 专利名称 | 图像传感器 | 申请号 | CN201110231127.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102315237B | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 尚岩峰;张俊超;汪辉;陈杰;汪宁;苗田乐 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146; H04N5/378 | 专利有效期 | 图像传感器 至图像传感器 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种图像传感器，感光结构和像素读出电路都形成于带有绝缘埋层的半导体衬底上，具有高速、低功耗、抗闭锁、抗辐射的优点。感光结构包括横向排列且呈包围式结构四个掺杂区，四个掺杂区中包括一光吸收层和一个雪崩倍增区。横向包围式结构能够消除较薄的顶层半导体层对光吸收层的厚度的限制，增加光吸收层的宽度和面积，从而能够提高感光结构的光吸收效率。雪崩倍增区能大幅度提高感光结构的光电转换效率、进一步提高感光结构的光吸收效率。 |
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