| 专利名称 | 带有绝缘埋层的图像传感器及其制作方法 | 申请号 | CN201110229921.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102332462B | 公开（授权）日 | 2012.10.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 苗田乐;陈杰;汪辉;汪宁;尚岩峰;田犁 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146 | 专利有效期 | 带有绝缘埋层的图像传感器及其制作方法 至带有绝缘埋层的图像传感器及其制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器，所述图像传感器形成于支撑衬底表面，所述支撑衬底的材料是半导体材料，所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域，驱动电路区域的支撑衬底中具有顶层半导体层，顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；驱动电路区域中的晶体管形成于顶层半导体层中，光学传感区域中的光学传感器件形成于支撑衬底中并通过P+掺杂的隔离层与支撑衬底电学隔离；所述驱动电路区域和光学传感区域彼此通过绝缘侧墙横向隔离。 |
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