| 专利名称 | 带有绝缘埋层的图像传感器的制作方法 | 申请号 | CN201110229920.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102332461B | 公开（授权）日 | 2013.07.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 尚岩峰;张俊超;汪辉;陈杰;汪宁;苗田乐 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146 | 专利有效期 | 带有绝缘埋层的图像传感器的制作方法 至带有绝缘埋层的图像传感器的制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器的制作方法，包括如下步骤：提供支撑衬底；在支撑衬底的驱动电路区域和光学传感区域交界处形成隔离沟槽；在沟槽中填充绝缘介质，以形成绝缘侧墙；在支撑衬底的驱动电路区域中形成绝缘埋层，绝缘埋层的深度不大于隔离沟槽的深度，并同时在绝缘埋层表面隔离形成顶层半导体层；采用离子注入的方式在支撑衬底中形成从侧面和底部环绕光学传感区域的隔离层，所述隔离层的材料是P型半导体材料；在由隔离层围拢的支撑衬底内形成光学传感器件；在驱动电路区域的顶层半导体层中形成晶体管。 |
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