| 专利名称 | 一种产生低能离子的装置 | 申请号 | CN201621174731.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN206148395U | 公开（授权）日 | 2017.05.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院武汉物理与数学研究所 | 发明（设计）人 | 陈邵龙;管桦;梁世勇;杨航;宋红芳;黄垚;高克林 | 主分类号 | H01J49/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J49/10(2006.01)I;H01J49/24(2006.01)I;H01J49/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种产生低能离子的装置 至一种产生低能离子的装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 一种产生低能离子的装置，该装置包括高能离子产生单元、离子聚焦单元、离子减速单元、离子选择单元以及真空腔，所述离子产生单元产生离子注入上述离子聚焦单元，离子经上述离子聚焦单元聚焦后输入上述离子减速单元，离子经离子减速单元减速后进入上述离子选择单元，由离子选择单元对离子进行筛选后输出所需低能离子，上述离子产生单元、离子聚焦单元、离子减速单元及离子选择单元都置于上述真空腔中。该装置可以通过添加不同的原子源，可以获得不同种类低能离子，具有普适性、低能量性，同时离子流可以连续产生，具有持续性。 |
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