| 专利名称 | 一种高功率大面积偏压微波等离子体金刚石薄膜沉积装置 | 申请号 | CN201621057920.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN206109529U | 公开（授权）日 | 2017.04.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 姜辛;刘鲁生;黄楠;杨兵;翟超峰;李俊豪;贾心怡 | 主分类号 | C23C16/27(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/27(2006.01)I;C23C16/511(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高功率大面积偏压微波等离子体金刚石薄膜沉积装置 至一种高功率大面积偏压微波等离子体金刚石薄膜沉积装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及金刚石膜生长领域，尤其涉及一种高功率大面积偏压微波等离子体金刚石薄膜沉积装置。该装置在密闭的壳体之间设置石英管，石英管一端外部设有依次连接的截止波导、波导、调配器、微波源，截止波导上设置冷却水出口；石英管另一端外部设有短路活塞，短路活塞所在的活塞缸上设有冷却水入口，所述石英管另一端外部与反应气体入口连通；石英管的上部设有光电温度计，下部设有真空系统、直流偏压电源；石英管内部设有基片台、基片，基片设置于基片台上，直流偏压电源通过电缆与基片台相连。本实用新型在高功率大面积微波等离子体沉积装置的基片台上加装直流负偏压系统，能够制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的金刚石单晶膜。 |
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