| 专利名称 | 多坩埚下降法制备氟化镁晶体的生长设备 | 申请号 | CN201621042259.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN206070043U | 公开（授权）日 | 2017.04.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 李百中;李铮;施振华;侯印春 | 主分类号 | C30B29/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/12(2006.01)I;C30B11/02(2006.01)I;C30B11/14(2006.01)I | 专利有效期 | 多坩埚下降法制备氟化镁晶体的生长设备 至多坩埚下降法制备氟化镁晶体的生长设备 | 法律状态 | 说明书摘要 | 一种多坩埚下降法制备氟化镁晶体的生长设备，所述多孔石墨坩埚包括籽晶区、晶体生长区、料仓区和坩埚盖四部分；所述生长设备还包括炉膛、下降装置和铜感应加热线圈，所述炉膛的上方和下方设有通气孔，所述炉膛内壁、铜感应线圈和下降杆表面镀有镍层或是耐高温的有机树脂层，能够耐氟化氢等气体腐蚀。本实用新型中氟化镁晶体外形和尺寸容易控制；并且多坩埚同时生长氟化镁晶体，生长效率高，有利于工业化生产。 |
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