| 专利名称 | 一种助熔剂法晶体生长用铂金坩埚盖 | 申请号 | CN201621042412.2 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN206070038U | 公开（授权）日 | 2017.04.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 李百中;李铮;施振华;刘有臣 | 主分类号 | C30B9/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B9/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种助熔剂法晶体生长用铂金坩埚盖 至一种助熔剂法晶体生长用铂金坩埚盖 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种助熔剂法晶体生长用铂金坩埚盖，所述铂金坩埚盖包括盖沿、圆形的盖面和与盖面同心的圆孔。所述盖沿在盖面的边缘，竖直向下，长度范围为3mm～20mm；所述圆形盖面具有一定弧度，该圆形盖面与水平面的夹角范围为5°～45°，直径范围为60mm～200mm；所述圆孔与盖面同心，圆孔直径范围为15mm～30mm，所述圆孔周围有一定高度的外壁，外壁的高度范围为3mm～10mm；所述铂金坩埚盖厚度范围为0.3mm～2mm。本实用新型适用于助熔剂法晶体生长过程中的温度梯度调控，同时可有效减少保温材料及熔体内挥发物对熔体的污染，保证熔体的纯度。 |
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