| 专利名称 | 一种适用于氢化物气相外延生长氮化镓膜的基片台 | 申请号 | CN201620792540.2 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205954147U | 公开（授权）日 | 2017.02.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 姜辛;刘宝丹;刘鲁生;张兴来 | 主分类号 | C30B25/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/12(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I | 专利有效期 | 一种适用于氢化物气相外延生长氮化镓膜的基片台 至一种适用于氢化物气相外延生长氮化镓膜的基片台 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及使用氢化物外延生长CaN薄膜领域，尤其涉及一种适用于氢化物气相外延生长氮化镓膜的基片台。基片由定位螺钉固定在固定盘上，固定盘固定在支撑杆的一端，支撑杆的另一端穿过隔热屏、密封法兰、轴承盒固定在传动组件上；传动组件与调速电机传动连接，调速电机通过电机固定座固定在密封法兰上，调速电机通过传动组件、支撑杆带动固定盘的基片匀速旋转，基片固定在转速可调的固定盘上。本实用新型解决了氮化镓薄膜沉积过程中反应腔体内基片表面处反应气体的均匀性问题，能够保证基片表面处不同位置都处在相同的气氛中，从而保证大面积的镀膜时薄膜性能的一致性，可以在大尺寸的基片上沉积薄膜。 |
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