| 专利名称 | Method for forming and controlling molecular level SiO2 interface layer | 申请号 | US201213502788 | 专利类型 | US | 公开（公告）号 | US8822292(B2) | 公开（授权）日 | 2014.09.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | Xu Qiuxia;Xu Gaobo | 主分类号 | H01L21/336 | IPC主分类号 | H01L21/336;H01L29/51 | 专利有效期 | Method for forming and controlling molecular level SiO2 interface layer 至Method for forming and controlling molecular level SiO2 interface layer | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障