| 专利名称 | H?usungselement auf Basis eines Materials mit hohem spezifischen Widerstand für einen Elektrisches-Feld-Sensor | 申请号 | DE20141103626T | 专利类型 | DE | 公开（公告）号 | DE112014003626(T5) | 公开（授权）日 | 2016.04.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | Wen, Xiaolong;Chen, Xianxiang;Xia, Shanhong;Peng, Chunrong;Yang, Pengfei;Fang, Dongming | 主分类号 | H01L23/29 | IPC主分类号 | H01L23/29 | 专利有效期 | H?usungselement auf Basis eines Materials mit hohem spezifischen Widerstand für einen Elektrisches-Feld-Sensor 至H?usungselement auf Basis eines Materials mit hohem spezifischen Widerstand für einen Elektrisches-Feld-Sensor | 法律状态 | 说明书摘要 | Ein H?usungselement auf Basis eines Materials mit hohem spezifischen Widerstand für einen Elektrisches-Feld-Sensor weist folgende Merkmale auf: ein Substrat; einen ersten H?usungsrahmen, der fest an dem Substrat vorgesehen ist; eine erste H?usungsabdeckung, die fest an dem H?usungsrahmen vorgesehen ist; wobei zumindest ein Elektrisches-Feld-Sensor-Chip in dem inneren Hohlraum vorgesehen ist, der durch das Substrat, den ersten H?usungsrahmen und die erste H?usungsabdeckung gebildet ist; wobei zumindest eines des Substrats, des ersten H?usungsrahmens und der ersten H?usungsabdeckung aus einem Material mit hohem spezifischen Widerstand mit einem spezifischen elektrischen Widerstand von gr??er oder gleich 108 Ω·cm ist. Die vorliegende Erfindung stellt eine genaue Messung eines elektrischen Feldes sicher und liefert einen Ansatz zur L?sung des Problems der Umgebungsanpassungsf?higkeit und verbessert die Stabilit?t und Zuverl?ssigkeit der Sondierung eines elektrischen Feldes. |
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