| 专利名称 | 双搅拌垂直式释放池 | 申请号 | CN201620772607.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205941271U | 公开（授权）日 | 2017.02.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海药物研究所 | 发明（设计）人 | 黄永焯;王慧媛;孙力员 | 主分类号 | G01N13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N13/00(2006.01)I | 专利有效期 | 双搅拌垂直式释放池 至双搅拌垂直式释放池 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种双搅拌垂直式释放池，包括设置于所述释放池的上部的供给池、设置于所述释放池的下部的接受池、以及设置于所述供给池与所述接受池之间的半透膜，供给池与所述接受池固定连接，其中，所述供给池形成具有向下的开口的供给室；所述接受池形成具有向上的开口的接受室；所述半透膜的上表面紧邻所述供给室的向下的开口并且紧邻所述接受室的向上的开口；所述供给室与所述接受室内均设置有磁搅拌子。本实用新型的双搅拌垂直式释放池，实现了立式双层磁力搅拌，能够有效地消除药物分子在半透膜两侧形成的扩散边界，保证药物分子在接受室内迅速达到平衡，并有利于实验过程中接受室内符合漏槽条件，特别适用于微/纳米制剂的药物释放。 |
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