| 专利名称 | 一种基于硫化钴镍核壳三维多级纳米结构的赝电容器正极 | 申请号 | CN201620923525.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205900332U | 公开（授权）日 | 2017.01.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 发明（设计）人 | 李振湖;刘双翼;李徐;向路;陆文强 | 主分类号 | H01G11/24(2013.01)I | IPC主分类号 | H01G11/24(2013.01)I;H01G11/26(2013.01)I;H01G11/28(2013.01)I;H01G11/30(2013.01)I;H01G11/86(2013.01)I | 专利有效期 | 一种基于硫化钴镍核壳三维多级纳米结构的赝电容器正极 至一种基于硫化钴镍核壳三维多级纳米结构的赝电容器正极 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种基于硫化钴镍核壳三维多级纳米结构的赝电容器正极，所述正极包括泡沫镍基底1、位于泡沫镍基底1上阵列分布的硫化钴镍纳米片2、衔接于硫化钴镍纳米片2两侧的生长阵列分布的硫化钴镍叶片3，所述硫化钴镍纳米片2垂直于泡沫镍基底1，所述硫化钴镍叶片3与硫化钴镍纳米片2沿着泡沫镍基底1反方向呈0～90度。本实用新型公开的正极结构硫化钴镍纳米片阵列直接生长在高导电的泡沫镍基底上，使其具有很高的电子迁移率，有利于实现快速充放电；同时，在纳米片阵列上继续原位生长硫化钴镍叶片，不仅可以增加电极的可利用活性表面，提高其能量密度，并扩大活性材料与电解质的作用速率。 |
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