| 专利名称 | 一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器 | 申请号 | CN201620835458.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205900097U | 公开（授权）日 | 2017.01.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 于猛;曾传滨;闫薇薇;罗家俊;韩郑生 | 主分类号 | G11C11/417(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/417(2006.01)I | 专利有效期 | 一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器 至一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型属于抗辐射电路技术领域，公开了一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器，包括：至少两个相同的子模块；第i个子模块的端口为Ai_1、Ai_2、Bi_1、Bi_2、WLi、BLi与BLBi；子模块中包括6个MOSFET，其中PMi_1漏极与NMi_1漏极连接部分构成存储节点i_1，PMi_2漏极与NMi_2漏极连接部分构成存储节点i_2。i_1与i_2存储数据的逻辑值相反；子模块之间的连接关系为Ai_1与Bi?1_2连接，Ai?1_2与Bi_1连接，Ai_2与Bi+1_1连接，Ai+1_1与Bi_2连接，BLi?1、BLi、BLi+1与BL连接，BLBi?1、BLBi、BLBi+1与BLB连接，WLi?1、WLi、WLi+1与WL连接，A1_1与Bn_2连接，An_2与B1_2连接。本实用新型提供了一种抗辐射能力强，抗SEU能力稳定，读写速度快得存储器。 |
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