| 专利名称 | 基于质子导体陶瓷膜的自循环氚靶系统 | 申请号 | CN201610671119.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106251912A | 公开（授权）日 | 2016.12.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 季翔;吴宜灿;蒋洁琼;王超;王淑芬 | 主分类号 | G21B1/15(2006.01)I | IPC主分类号 | G21B1/15(2006.01)I;G21B1/19(2006.01)I | 专利有效期 | 基于质子导体陶瓷膜的自循环氚靶系统 至基于质子导体陶瓷膜的自循环氚靶系统 | 法律状态 | 著录事项变更 | 说明书摘要 | 本发明公开一种基于质子导体陶瓷膜的自循环氚靶系统，主要适用于氘氚聚变中子发生器中的氚靶系统。本发明将质子导体陶瓷膜作为氚靶的核心部件，其中质子导体陶瓷膜由致密的氧化物陶瓷固体电解质和两个多孔电极构成。自循环过程为：氚水通过外接电源在阳极被电离为氚离子，氚离子在多孔阳极中扩散并通过电解质迁移到阴极后，被还原为氚原子同时受到氘束流的轰击发生氘氚聚变。而阴极未参与聚变反应的氚通过净化系统氧化为氚水，收集后循环回至阳极继续使用。此系统的氚靶工作温度可提高至800?1000℃，同时实现了氚的循环利用，极大提高了氚的利用率。 |
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