| 专利名称 | 一种并行雪崩光电二极管阵列结构的红外单光子探测系统 | 申请号 | CN201620334635.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205642637U | 公开（授权）日 | 2016.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 徐军;何德勇;易波 | 主分类号 | G01J5/22(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J5/22(2006.01)I | 专利有效期 | 一种并行雪崩光电二极管阵列结构的红外单光子探测系统 至一种并行雪崩光电二极管阵列结构的红外单光子探测系统 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及一种并行雪崩光电二极管阵列结构的红外单光子探测系统，包括并行APD阵列驱动电路，其输出端与并行APD阵列的输入端相连，并行APD阵列的输出端与信号探测电路的输入端相连，信号探测电路的输出端与模数转换电路的输入端相连，信号模数转换电路的输出端与信号处理电路的输入端相连，信号处理电路的输出端与数字信号输出电路的输入端相连。本实用新型使用并行APD阵列将单光子信号转换成雪崩电信号，利用直流偏置电压电路使并行APD阵列工作于盖革模式，利用高速脉冲门控时序信号电路以及多通道光开关实现并行APD阵列的通道时序切换功能，减小了APD器件的死时间，克服了探测器的后脉冲效应，有效提高探测器的工作频率和探测效率。 |
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