| 专利名称 | 集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器 | 申请号 | CN201620179891.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205643233U | 公开（授权）日 | 2016.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 明安杰;郑轩;陈大鹏 | 主分类号 | G01N27/12(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/12(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器 至集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器，所述集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器，从底部向顶部依次包括：承载硅基底，传感器释放后空腔、MEMS氧化硅、氮化硅复合膜支撑结构，图形化多晶硅薄膜层，纳米尺度硅结构，梳齿敏感电极、加热电极以及引线键合pad层结构，金属氧化物敏感膜层。 |
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