| 专利名称 | 斜方相碘化铯铅单晶纳米线的制备方法和用途 | 申请号 | CN201610478240.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106006722A | 公开（授权）日 | 2016.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院;中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 赵俊乾;潘书生;李广海 | 主分类号 | C01G21/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G21/00(2006.01)I;C09K11/66(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 斜方相碘化铯铅单晶纳米线的制备方法和用途 至斜方相碘化铯铅单晶纳米线的制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种斜方相碘化铯铅单晶纳米线的制备方法和用途。制备时先将碘化铅加入保护性气氛、68.5～72.5℃和搅拌下的γ?丁内酯中，得到砖红色浊液，再将碘化铯加入砖红色浊液中，得到混合溶液，随后，先持续将混合溶液置于保护性气氛、68.5～72.5℃和搅拌下至少80min，得到亮黄色混合溶液，再待其冷却后置于相对湿度≤20％的68.5～72.5℃下蒸干，制得单晶生长方向为<100>方向，线直径为0.1～0.15μm、线长≥100μm的斜方相碘化铯铅单晶纳米线。它可作为基础单元来构筑纳米线器件或纳米线阵列器件，用于使用X射线对其进行激发而产生464±10nm、564±10nm的X射线荧光；它极有望广泛地应用于构筑纳米光子学的基础单元以及光电探测器、高能射线探测等领域。 |
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