| 专利名称 | 具有集成栅源电容的RC IGBT器件 | 申请号 | CN201620407834.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205621738U | 公开（授权）日 | 2016.10.05 | 申请（专利权）人 | 江苏中科君芯科技有限公司;中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨飞;张广银;谭骥;沈千行;朱阳军;卢烁今;田晓丽 | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 具有集成栅源电容的RC IGBT器件 至具有集成栅源电容的RC IGBT器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及具有集成栅源电容的RC?IGBT器件，其集电极层包括第二导电类型集电区以及第一导电类型集电区；在半导体基板内还设置至少一个用于形成栅源电容的浅槽栅，电容沟槽的高度小于第二导电类型阱区的深度；电容沟槽的侧壁及底壁设置覆盖有电容绝缘氧化层，并在覆盖有电容绝缘氧化层的电容沟槽内填充有电容导电多晶硅，且电容沟槽的槽口由第一主面上的电容绝缘介质层覆盖；电容沟槽内的电容导电多晶硅与半导体基板第一主面上用于形成栅电极的栅极金属欧姆接触。本实用新型其结构紧凑，能在不增加芯片面积的情况下集成得到栅源电容，可以灵活设计栅源电容的分布状态，且能精确控制栅源电容的电容值，与现有工艺相兼容。 |
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