| 专利名称 | 具有高抗闩锁能力的IGBT器件 | 申请号 | CN201620408433.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205621739U | 公开（授权）日 | 2016.10.05 | 申请（专利权）人 | 江苏中科君芯科技有限公司;中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨飞;沈千行;朱阳军;卢烁今;田晓丽 | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 专利有效期 | 具有高抗闩锁能力的IGBT器件 至具有高抗闩锁能力的IGBT器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及一种具有高抗闩锁能力的IGBT器件，其有源元胞包括第二导电类型基区以及第一导电类型源极区；在第二导电类型基区内设置阻挡环；在IGBT器件的截面上，阻挡环包括第一导电类型埋层以及绝缘介质柱，绝缘介质柱的上端与源极金属接触，第一导电类型埋层位于第一导电类型源极区正下方的一端与绝缘介质柱相接触，第一导电类型埋层的另一端与导电沟道侧壁接触，且第一导电类型埋层在第一导电类型源极区正下方的长度不小于第一导电类型源极区在第二导电类型基区内的长度，第一导电类型埋层与源极金属相互绝缘。本实用新型结构紧凑，能有效减少发生闩锁的风险，为降低导通压降提供基础，与现有工艺相兼容，安全可靠。 |
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