| 专利名称 | 一种量子点超辐射发光二极管 | 申请号 | CN201620374082.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205582962U | 公开（授权）日 | 2016.09.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 訾慧;薛正群;苏辉;王凌华;林琦;林中晞;陈阳华 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I | 专利有效期 | 一种量子点超辐射发光二极管 至一种量子点超辐射发光二极管 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及一种量子点超辐射发光二极管，包括：一次外延结构和掩埋异质结结构，一次外延结构包括：沿晶向依次设置的N+?GaAs衬底层(1)、N?GaAs缓冲层(2)、N?AlGaAs覆盖层(3)、AlGaAs下限制层(4)、含多层InAs量子点的有源区(5)、AlGaAs上限制层(6)和P?AlGaAs覆盖层(7)；N?AlGaAs覆盖层(3)到P?AlGaAs覆盖层(7)形成沿晶向的脊结构；掩埋异质结结构包括沿晶向依次设置的P?AlGaAs掩埋层(12)、N?GaAs掩埋层(13)和P+?GaAs接触层(14)。本实用新型提出的超辐射发光二极管芯片具有高功率、宽光谱输出、低抖动的优点。 |
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