| 专利名称 | 一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器 | 申请号 | CN201620347873.4 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205565287U | 公开（授权）日 | 2016.09.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 徐天鸿;曹俊诚 | 主分类号 | H01S5/042(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/042(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 专利有效期 | 一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器 至一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器，包括：半绝缘GaAs衬底；位于所述半绝缘GaAs衬底上表面的GaAs缓冲层；位于所述GaAs缓冲层表面的n型重掺杂下接触层；位于所述n型重掺杂下接触层表面的有源区；位于所述有源区表面的n型重掺杂上接触层；位于所述n型重掺杂上接触层表面且设有间隔距离L的第一、第二上电极金属层，其中，所述第二上电极金属层为退火后可形成高波导损耗的上电极金属层；以及位于所述n型重掺杂下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层。通过本实用新型提供的一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器，解决了现有技术中THz吸收器都是一个个分立的器件，且使用的材料与THz?QCL差异较大，故不可能用在基于THz?QCL材料的片上集成系统中的问题。 |
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